無論是PCM、MRAM還是RRAM，它們不僅是存儲器的替代方案，更是推動MCU架構(gòu)變革的催化劑。像PCM、MRAM和RRAM這類新型存儲技術(shù)，體現(xiàn)了一種更為深刻的“存儲計算一體化”趨勢，這并非僅僅是存儲介質(zhì)的替換問題，而是存儲架構(gòu)與計算架構(gòu)的協(xié)同演進(jìn)。
 
  在MCU領(lǐng)域，存儲與計算的界限正愈發(fā)模糊。在傳統(tǒng)的MCU中，存儲和計算是相互獨(dú)立的模塊，計算依靠中央處理器（CPU）或?qū)Ｓ眉铀倨魍瓿?，而存儲則借助外部或內(nèi)部的閃存、SRAM等器件來進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲與管理。然而，隨著計算任務(wù)日趨復(fù)雜，特別是機(jī)器學(xué)習(xí)、AI推理和邊緣計算的應(yīng)用需求不斷增加，存儲與計算分離的模式愈發(fā)顯得難以適應(yīng)。
 
  MRAM和PCM等新型存儲器的出現(xiàn)，為“存儲計算一體化”帶來了新的機(jī)遇。尤其是PCM，憑借其相變特性，不僅具備非易失性存儲功能，還能在某些應(yīng)用中實現(xiàn)“近計算”，從而減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠款i，進(jìn)一步加快數(shù)據(jù)處理的速度。MRAM的高速讀寫特性也使其能夠與計算模塊協(xié)同運(yùn)作，在AI邊緣推理、實時數(shù)據(jù)處理等場景中提升處理效率。 


本文關(guān)鍵詞：SRAM,MRAM

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